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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV130ENEAR
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV130ENEAR - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV130ENEAR
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV130ENEAR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV130ENEA.pdf
État RoHS
En stock: 294230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV130ENEAR
Nexperia USA Inc. - PMV130ENEAR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV130ENEAR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries Automotive, AEC-Q100  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 460mW (Ta), 5W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A (Ta)  
Numéro de produit de base PMV130  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV130ENEAR

Attributs du produit PMV130ENEAR PMV160UP,215 PMV100EPAR PMV16UN,215
Modèle de produit PMV130ENEAR PMV160UP,215 PMV100EPAR PMV16UN,215
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Package composant fournisseur TO-236AB TO-236AB TO-236AB SOT-23 (TO-236AB)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V 210mOhm @ 1.2A, 4.5V 130mOhm @ 2.2A, 10V 18mOhm @ 5.8A, 4.5V
Séries Automotive, AEC-Q100 - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ -
Numéro de produit de base PMV130 PMV160 PMV100 PMV1
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 20 V 365 pF @ 10 V 616 pF @ 30 V 670 pF @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 10 V 4 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 20 V 60 V 20 V
Dissipation de puissance (max) 460mW (Ta), 5W (Tc) 335mW (Ta), 2.17W (Tc) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) 510mW (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA 3.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A (Ta) 1.2A (Ta) 2.2A (Ta) 5.8A (Ta)

Fiche technique PMV130ENEAR PDF

Téléchargez PMV130ENEAR PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV130ENEAR - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
PMV130ENEA.pdf
Conception / spécification PCN
PMV130ENEAR Datasheet Rev 6/Mar/2019.pdf PMXB360/PMV130 09/Dec/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
BondWire/Fab Site/Assembly Changes 04/Mar/2017.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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