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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMN50EPEX
PMN50EPEX Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMN50EPEX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMN50EPEX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMN50EPEX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
PMN50EPE.pdf
État RoHS
En stock: 254690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMN50EPEX
Nexperia USA Inc. - PMN50EPEX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMN50EPEX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 793 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta)  
Numéro de produit de base PMN50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMN50EPEX

Attributs du produit PMN50EPEX PMN45EN,135 PMN50XP,165 PMN42XPEAH
Modèle de produit PMN50EPEX PMN45EN,135 PMN50XP,165 PMN42XPEAH
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale Nexperia USA Inc.
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - TrenchMOS™ TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V 20V ±12V ±12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta) 5.2A (Tc) 4.8A (Tc) 5.7A (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base PMN50 - - PMN42
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 1mA 950mV @ 250µA 1.25V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.6A, 10V 40mOhm @ 3A, 10V 60 mOhm @ 2.8A, 4.5V 46mOhm @ 3A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk - Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 793 pF @ 15 V 495 pF @ 25 V 1020pF @ 20V 1410 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20V 20 V
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 6.1 nC @ 4.5 V 10nC @ 4.5V 17.3 nC @ 4.5 V
Package / Boîte SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Dissipation de puissance (max) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) 1.75W (Tc) 2.2W (Tc) 500mW (Ta), 8.33W (Tc)

Fiche technique PMN50EPEX PDF

Téléchargez PMN50EPEX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMN50EPEX - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
PMN50EPE.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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