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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMN42XPE,115
PMN42XPE,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMN42XPE,115 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMN42XPE,115
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMN42XPE,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
PMN42XPE.pdf
État RoHS
En stock: 4850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMN42XPE,115
Nexperia USA Inc. - PMN42XPE,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMN42XPE,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta), 8.33W (Tc)  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMN42XPE,115

Attributs du produit PMN42XPE,115 PMN45EN,135 PMN45EN,135 PMN40UPE,115
Modèle de produit PMN42XPE,115 PMN45EN,135 PMN45EN,135 PMN40UPE,115
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 950mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Package / Boîte SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 1.75W (Tc) 1.75W (Tc) 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 5.2A (Tc) 5.2A (Tc) 4.7A (Ta)
Vgs (Max) ±12V 20V 20V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V 40mOhm @ 3A, 10V 40mOhm @ 3A, 10V 43mOhm @ 3A, 4.5V
Fonction FET - - - -
Séries - TrenchMOS™ TrenchMOS™ -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V - 1.8V, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 10 V 495 pF @ 25 V 495 pF @ 25 V 1820 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique PMN42XPE,115 PDF

Téléchargez PMN42XPE,115 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMN42XPE,115 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 5/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
PMN42XPE.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PMN42XPE,115

Nexperia USA Inc.
32D-PMN42XPE,115

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