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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxPMDPB30XN,115
PMDPB30XN,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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PMDPB30XN,115 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMDPB30XN,115
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMDPB30XN,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Emballage
6-UFDFN Exposed Pad
Fiche technique
PMDPB30XN.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 175580

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques PMDPB30XN,115
Nexperia USA Inc. - PMDPB30XN,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMDPB30XN,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-HUSON (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V  
Puissance - Max 490mW  
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base PMDPB30  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMDPB30XN,115

Attributs du produit PMDPB30XN,115 PMDPB28UN,115 PMDPB30XN,115 PMDPB42UN,115
Modèle de produit PMDPB30XN,115 PMDPB28UN,115 PMDPB30XN,115 PMDPB42UN,115
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V 265pF @ 10V 660pF @ 10V 185pF @ 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A 4.6A 4A 3.9A
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Package composant fournisseur 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base PMDPB30 PMDPB PMDPB30 PMDPB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V 4.7nC @ 4.5V 21.7nC @ 4.5V 3.5nC @ 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad
Puissance - Max 490mW 510mW 490mW 510mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V 37mOhm @ 4.6A, 4.5V 40mOhm @ 3A, 4.5V 50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V

Fiche technique PMDPB30XN,115 PDF

Téléchargez PMDPB30XN,115 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMDPB30XN,115 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
Feuilles de données
PMDPB30XN.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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