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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePHK12NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PHK12NQ03LT,518 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PHK12NQ03LT,518
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PHK12NQ03LT,518
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 11.8A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
PHK12NQ03LT.pdf
État RoHS
En stock: 4460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PHK12NQ03LT,518
Nexperia USA Inc. - PHK12NQ03LT,518 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PHK12NQ03LT,518

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1335 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.6 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.8A (Tj)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PHK12NQ03LT,518

Attributs du produit PHK12NQ03LT,518 PHK18NQ03LT,518 PHK18NQ03LT PHK04P02T+518
Modèle de produit PHK12NQ03LT,518 PHK18NQ03LT,518 PHK18NQ03LT PHK04P02T+518
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.15V @ 1mA - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.8A (Tj) 20.3A (Tc) - -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12A, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1335 pF @ 16 V 1380 pF @ 12 V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Séries TrenchMOS™ TrenchMOS™ - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 6.25W (Tc) - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.6 nC @ 5 V 10.6 nC @ 4.5 V - -

Fiche technique PHK12NQ03LT,518 PDF

Téléchargez PHK12NQ03LT,518 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PHK12NQ03LT,518 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 12/Jul/2018.pdf Mult Devices EOL 30/Jun/2018.pdf
Feuilles de données
PHK12NQ03LT.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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