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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePHD9NQ20T,118
PHD9NQ20T,118 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PHD9NQ20T,118 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PHD9NQ20T,118
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PHD9NQ20T,118
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
PHD9NQ20T.pdf
État RoHS
En stock: 3770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PHD9NQ20T,118
Nexperia USA Inc. - PHD9NQ20T,118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PHD9NQ20T,118

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 959 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.7A (Tc)  
Numéro de produit de base PHD9NQ20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PHD9NQ20T,118

Attributs du produit PHD9NQ20T,118 PHD97NQ03LT MOS PHD9NQ20T PHDR-14VS
Modèle de produit PHD9NQ20T,118 PHD97NQ03LT MOS PHD9NQ20T PHDR-14VS
Fabricant Nexperia USA Inc. LUMILEDS Freescale / NXP Semiconductors JST Sales America Inc.
Vgs (Max) ±30V - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - - -25°C ~ 85°C
Type de montage Surface Mount - - Free Hanging (In-Line)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - - -
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 959 pF @ 25 V - - -
Package composant fournisseur DPAK - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V - - -
Numéro de produit de base PHD9NQ20 - - PHDR-14V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Séries TrenchMOS™ - - PHD
Emballer Tape & Reel (TR) - - Bulk
type de FET N-Channel - - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.7A (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -

Fiche technique PHD9NQ20T,118 PDF

Téléchargez PHD9NQ20T,118 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PHD9NQ20T,118 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev 31/Dec/2019.pdf
Feuilles de données
PHD9NQ20T.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Nexperia USA Inc.
32D-PHD9NQ20T,118

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