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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK4D110-20PX
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK4D110-20PX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK4D110-20PX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-BUK4D110-20PX
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
BUK4D110-20P.pdf
État RoHS
En stock: 453350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK4D110-20PX
Nexperia USA Inc. - BUK4D110-20PX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - BUK4D110-20PX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DFN2020MD-6  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 96mOhm @ 3.4A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 7.5W (Tc)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta), 6.7A (Tc)  
Numéro de produit de base BUK4D  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. BUK4D110-20PX

Attributs du produit BUK4D110-20PX BUK4D60-30X BUK553-100A BUK474-200A
Modèle de produit BUK4D110-20PX BUK4D60-30X BUK553-100A BUK474-200A
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 96mOhm @ 3.4A, 8V 57mOhm @ 4.2A, 8V - -
Vgs (Max) ±12V ±12V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V - -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.25V @ 250µA - -
type de FET P-Channel N-Channel - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 7.5W (Tc) 2W (Ta), 7.5W (Tc) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 10 V 296 pF @ 15 V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta), 6.7A (Tc) 4.2A (Ta), 8.3A (Tc) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Numéro de produit de base BUK4D BUK4D - -
Package composant fournisseur DFN2020MD-6 DFN2020MD-6 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 8V 2.5V, 8V - -

Fiche technique BUK4D110-20PX PDF

Téléchargez BUK4D110-20PX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour BUK4D110-20PX - Nexperia USA Inc..

Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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