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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSH111,215
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSH111,215 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BSH111,215
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-BSH111,215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSH111.pdf
État RoHS
En stock: 4960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSH111,215
Nexperia USA Inc. - BSH111,215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - BSH111,215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 830mW (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 8 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 335mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. BSH111,215

Attributs du produit BSH111,215 BSH111BKR BSH105,215 BSH114,215
Modèle de produit BSH111,215 BSH111BKR BSH105,215 BSH114,215
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V 1.8V, 4.5V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 1.3V @ 250µA 570mV @ 1mA (Typ) 4V @ 1mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package composant fournisseur TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 30 pF @ 30 V 152 pF @ 16 V 138 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 200mA, 4.5V 200mOhm @ 600mA, 4.5V 500mOhm @ 500mA, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 335mA (Ta) 210mA (Ta) 1.05A (Ta) 500mA (Ta)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±8V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 20 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 8 V 0.5 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 830mW (Tc) 302mW (Ta) 417mW (Ta) 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Séries TrenchMOS™ - - TrenchMOS™

Fiche technique BSH111,215 PDF

Téléchargez BSH111,215 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour BSH111,215 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Lighter Reels 02/Jan/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 29/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
BSH111.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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