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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleTIP115
TIP115 Image
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TIP115 - NTE Electronics, Inc

Fabricant Modèle de produit
TIP115
Fabricant
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-TIP115
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP DARL 60V TO220-3
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TIP115 Datasheet.pdf
Notre certification
En stock: 65100

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques TIP115
NTE Electronics, Inc - TIP115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NTE Electronics, Inc - TIP115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NTE Electronics, Inc.  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A  
Transistor Type PNP - Darlington  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bag  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 25MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 2mA  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NTE Electronics, Inc TIP115

Attributs du produit TIP115 TIP115 TIP116 TIP116
Modèle de produit TIP115 TIP115 TIP116 TIP116
Fabricant NTE Electronics, Inc Central Semiconductor Corp Fairchild Semiconductor NTE Electronics, Inc
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V 60 V 80 V 80 V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 2mA 2mA 2mA 2mA
Transistor Type PNP - Darlington PNP - Darlington PNP - Darlington PNP - Darlington
Emballer Bag Bulk Bulk Bag
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A 2.5V @ 8mA, 2A 2.5V @ 8mA, 2A 2.5V @ 8mA, 2A
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V 1000 @ 1A, 4V 1000 @ 1A, 4V 1000 @ 1A, 4V
Fréquence - Transition 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Séries - - - -

Fiche technique TIP115 PDF

Téléchargez TIP115 PDF DataSheets et Documentation NTE Electronics, Inc pour TIP115 - NTE Electronics, Inc.

Informations environnementales
RoHS Statement.pdf
Feuilles de données
TIP115 Datasheet.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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TIP115

NTE Electronics, Inc
32D-TIP115

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