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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleNTE123AP
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTE123AP - NTE Electronics, Inc

Fabricant Modèle de produit
NTE123AP
Fabricant
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-NTE123AP
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
NTE123AP Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 28001

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTE123AP
NTE Electronics, Inc - NTE123AP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NTE Electronics, Inc - NTE123AP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NTE Electronics, Inc.  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur TO-92  
Séries -  
Puissance - Max 625 mW  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bag  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NTE Electronics, Inc NTE123AP

Attributs du produit NTE123AP NTE129 NTE123A NTE159
Modèle de produit NTE123AP NTE129 NTE123A NTE159
Fabricant NTE Electronics, Inc NTE Electronics, Inc NTE Electronics, Inc NTE Electronics, Inc
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V 80 V 40 V 80 V
Package composant fournisseur TO-92 TO-39 TO-18 TO-92
Emballer Bag Bag Bag Bag
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA 1 A 800 mA 800 mA
Puissance - Max 625 mW 1.25 W 1.2 W 625 mW
Transistor Type NPN PNP NPN PNP
Séries - - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V 100 @ 100mA, 5V 100 @ 150mA, 10V 50 @ 10mA, 10V
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA 50nA (ICBO) 10nA 50nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz - 300MHz -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique NTE123AP PDF

Téléchargez NTE123AP PDF DataSheets et Documentation NTE Electronics, Inc pour NTE123AP - NTE Electronics, Inc.

Informations environnementales
RoHS Statement.pdf
Feuilles de données
NTE123AP Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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