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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF350
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF350 - NTE Electronics, Inc

Fabricant Modèle de produit
IRF350
Fabricant
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-IRF350
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Description détaillée
Emballage
TO-204AA, TO-3
Fiche technique
IRF350.pdf
En stock: 2324

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF350
NTE Electronics, Inc - IRF350 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NTE Electronics, Inc - IRF350

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NTE Electronics, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-204AA, TO-3  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NTE Electronics, Inc IRF350

Attributs du produit IRF350 IRF3515S IRF3415SPBF IRF3415S
Modèle de produit IRF350 IRF3515S IRF3415SPBF IRF3415S
Fabricant NTE Electronics, Inc Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-204AA, TO-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Bag Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 2260 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 41A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 400 V 150 V 150 V 150 V
Package composant fournisseur TO-3 D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

Fiche technique IRF350 PDF

Téléchargez IRF350 PDF DataSheets et Documentation NTE Electronics, Inc pour IRF350 - NTE Electronics, Inc.

Informations environnementales
RoHS Statement.pdf
Feuilles de données
IRF350.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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