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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2N7002
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N7002 - NTE Electronics, Inc

Fabricant Modèle de produit
2N7002
Fabricant
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-2N7002
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
2N7002 Datasheet.pdf
En stock: 143850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N7002
NTE Electronics, Inc - 2N7002 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NTE Electronics, Inc - 2N7002

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NTE Electronics, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta)  
Numéro de produit de base 2N7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NTE Electronics, Inc 2N7002

Attributs du produit 2N7002 2N7000RLRAG 2N7002 2N7002
Modèle de produit 2N7002 2N7000RLRAG 2N7002 2N7002
Fabricant NTE Electronics, Inc onsemi STMicroelectronics UMW
Séries - - STripFET™ UMW
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Emballer Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base 2N7002 2N7000 2N70 2N7002
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 350mW (Tc) 350mW (Tc) 225mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±18V 20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Tc) 115mA (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-3 TO-92 (TO-226) SOT-23-3 SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 43 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique 2N7002 PDF

Téléchargez 2N7002 PDF DataSheets et Documentation NTE Electronics, Inc pour 2N7002 - NTE Electronics, Inc.

Informations environnementales
RoHS Statement.pdf
Feuilles de données
2N7002 Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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