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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFUTV200
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

UTV200 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
UTV200
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-UTV200
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
Description détaillée
Emballage
55JV
Fiche technique
UTV200.pdf
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques UTV200
Microsemi Corporation - UTV200 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - UTV200

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 28V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur 55JV  
Séries -  
Puissance - Max 80W  
Package / Boîte 55JV  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 200°C (TJ)  
Noise Figure (dB Typ @ f) -  
Type de montage Chassis Mount  
Gain 8.5dB ~ 9.5dB  
Fréquence - Transition 470MHz ~ 860MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 4.5A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation UTV200

Attributs du produit UTV200 2SC5065-Y(TE85L,F) MMBTH10 2SC4703-T1-AZ
Modèle de produit UTV200 2SC5065-Y(TE85L,F) MMBTH10 2SC4703-T1-AZ
Fabricant Microsemi Corporation Toshiba Semiconductor and Storage onsemi CEL
Package composant fournisseur 55JV SC-70 SOT-23-3 SOT-89
Noise Figure (dB Typ @ f) - 1.1dB @ 1GHz - 2.3dB @ 1GHz
Fréquence - Transition 470MHz ~ 860MHz 7GHz 650MHz 6GHz
Gain 8.5dB ~ 9.5dB 12dB ~ 17dB - 8.3dB
Type de montage Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 200°C (TJ) 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Puissance - Max 80W 100mW 225mW 1.8W
Package / Boîte 55JV SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V 120 @ 10mA, 5V 60 @ 4mA, 10V 50 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 4.5A 30mA 50mA 150mA
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Transistor Type NPN NPN NPN NPN
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 28V 12V 25V 12V

Fiche technique UTV200 PDF

Téléchargez UTV200 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour UTV200 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Device EOL 10/Apr/2017.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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