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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFTAN300
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TAN300 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
TAN300
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-TAN300
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT
Description détaillée
Emballage
55KT
Fiche technique
TAN300.pdf
En stock: 5270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TAN300
Microsemi Corporation - TAN300 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - TAN300

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 65V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur 55KT  
Séries -  
Puissance - Max 1166W  
Package / Boîte 55KT  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 200°C (TJ)  
Noise Figure (dB Typ @ f) -  
Type de montage Chassis Mount  
Gain 6.6dB  
Fréquence - Transition 960MHz ~ 1.215GHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1mA, 5V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation TAN300

Attributs du produit TAN300 KSC2756OMTF SD1127 2SC3357-T1-A
Modèle de produit TAN300 KSC2756OMTF SD1127 2SC3357-T1-A
Fabricant Microsemi Corporation onsemi Microsemi Corporation Renesas Electronics America Inc
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20A 30mA 640mA 100mA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1mA, 5V 90 @ 5mA, 10V 10 @ 50mA, 5V 50 @ 20mA, 10V
Package composant fournisseur 55KT SOT-23-3 TO-39 SOT-89
Température de fonctionnement 200°C (TJ) 150°C (TJ) 200°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries - - - -
Type de montage Chassis Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) - 6.5dB @ 200MHz - 1.8dB @ 1GHz
Gain 6.6dB 15dB ~ 23dB 12dB 10dB
Package / Boîte 55KT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-243AA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 65V 20V 18V 12V
Transistor Type NPN NPN NPN NPN
Puissance - Max 1166W 150mW 8W 1.2W
Fréquence - Transition 960MHz ~ 1.215GHz 850MHz 175MHz 6.5GHz

Fiche technique TAN300 PDF

Téléchargez TAN300 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour TAN300 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 13/Aug/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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