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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleJANTX2N6766
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

JANTX2N6766 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
JANTX2N6766
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-JANTX2N6766
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Description détaillée
Emballage
TO-204AE
Fiche technique
JANTX2N6766.pdf
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques JANTX2N6766
Microsemi Corporation - JANTX2N6766 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - JANTX2N6766

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3  
Séries Military, MIL-PRF-19500/543  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-204AE  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation JANTX2N6766

Attributs du produit JANTX2N6766 JANTX2N6788 JANTX2N6800 JANTX2N6796
Modèle de produit JANTX2N6766 JANTX2N6788 JANTX2N6800 JANTX2N6796
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 400 V 100 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-3 TO-39 TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Séries Military, MIL-PRF-19500/543 Military, MIL-PRF-19500/555 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 34.75 nC @ 10 V 28.51 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V 350mOhm @ 6A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 195mOhm @ 8A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 150W (Tc) 800mW (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-204AE TO-205AF Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 6A (Tc) 3A (Tc) 8A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique JANTX2N6766 PDF

Téléchargez JANTX2N6766 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour JANTX2N6766 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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