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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesAPTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APTGT75DA170D1G - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APTGT75DA170D1G
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APTGT75DA170D1G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
Description détaillée
Emballage
D1
Fiche technique
APTGT75DA170D1G.pdf
En stock: 4550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation - APTGT75DA170D1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APTGT75DA170D1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A  
Package composant fournisseur D1  
Séries -  
Puissance - Max 520 W  
Package / Boîte D1  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 5 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A  
Configuration Single  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APTGT75DA170D1G

Attributs du produit APTGT75DA170D1G APTGT75SK120D1G APTGT75SK120TG APTGT600U120D4G
Modèle de produit APTGT75DA170D1G APTGT75SK120D1G APTGT75SK120TG APTGT600U120D4G
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V 1200 V 1200 V 1200 V
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V 5.345 nF @ 25 V 5.34 nF @ 25 V 40 nF @ 25 V
Puissance - Max 520 W 357 W 357 W 2500 W
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A 110 A 110 A 900 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A 2.1V @ 15V, 75A 2.1V @ 15V, 75A 2.1V @ 15V, 600A
NTC thermistance No No Yes No
Configuration Single Single Single Single
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 5 mA 4 mA 250 µA 5 mA
Température de fonctionnement - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Séries - - - -
Package / Boîte D1 D1 SP4 D4
Contribution Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur D1 D1 SP4 D4

Fiche technique APTGT75DA170D1G PDF

Téléchargez APTGT75DA170D1G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APTGT75DA170D1G - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
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PCN Obsolescence / EOL
D1 Package Devices 12/Jun/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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