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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesAPTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APTGF50VDA120T3G - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APTGF50VDA120T3G
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APTGF50VDA120T3G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3
Description détaillée
Emballage
SP3
Fiche technique
APTGF50VDA120T3G.pdf
En stock: 5430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation - APTGF50VDA120T3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APTGF50VDA120T3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A  
Package composant fournisseur SP3  
Séries -  
Puissance - Max 312 W  
Package / Boîte SP3  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance Yes  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.45 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT NPT  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250 µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70 A  
Configuration Dual Boost Chopper  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G

Attributs du produit APTGF50VDA120T3G APTGF75DA60D1G APTGF300A120G APTGF300SK120G
Modèle de produit APTGF50VDA120T3G APTGF75DA60D1G APTGF300A120G APTGF300SK120G
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.45 nF @ 25 V 3.3 nF @ 25 V 21 nF @ 25 V 21 nF @ 25 V
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 600 V 1200 V 1200 V
NTC thermistance Yes No No No
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70 A 100 A 400 A 400 A
Contribution Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur SP3 D1 SP6 SP6
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A 2.45V @ 15V, 75A 3.9V @ 15V, 300A 3.9V @ 15V, 300A
Package / Boîte SP3 D1 SP6 SP6
Configuration Dual Boost Chopper Single Half Bridge Single
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250 µA 500 µA 500 µA 500 µA
Température de fonctionnement - -40°C ~ 150°C (TJ) - -
Puissance - Max 312 W 355 W 1780 W 1780 W
type de IGBT NPT NPT NPT NPT
Séries - - - -

Fiche technique APTGF50VDA120T3G PDF

Téléchargez APTGF50VDA120T3G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APTGF50VDA120T3G - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Power Module Disc 23/Mar/2016.pdf
Conception / spécification PCN
SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015.pdf
Feuilles de données
APTGF50VDA120T3G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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