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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT50N60JCU2
APT50N60JCU2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT50N60JCU2 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT50N60JCU2
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT50N60JCU2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 52A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
APT50N60JCU2.pdf
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT50N60JCU2
Microsemi Corporation - APT50N60JCU2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT50N60JCU2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT50N60JCU2

Attributs du produit APT50N60JCU2 APT53N60BC6 APT53F80J APT50M85JVFR
Modèle de produit APT50N60JCU2 APT53N60BC6 APT53F80J APT50M85JVFR
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc) 417W (Tc) 960W (Tc) -
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 154 nC @ 10 V 570 nC @ 10 V 535 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - CoolMOS™ POWER MOS 8™ POWER MOS V®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc) 53A (Tc) 57A (Tc) 50A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA 3.5V @ 1.72mA 5V @ 5mA 4V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V 4020 pF @ 25 V 17550 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 500 V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 22.5A, 10V 70mOhm @ 25.8A, 10V 110mOhm @ 43A, 10V 85mOhm @ 500mA, 10V
Package composant fournisseur SOT-227 TO-247 [B] ISOTOP® ISOTOP®

Fiche technique APT50N60JCU2 PDF

Téléchargez APT50N60JCU2 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT50N60JCU2 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Feuilles de données
APT50N60JCU2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT50N60JCU2

Microsemi Corporation
32D-APT50N60JCU2

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