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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT40M42JN
APT40M42JN Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT40M42JN - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT40M42JN
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT40M42JN
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT40M42JN.pdf
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT40M42JN
Microsemi Corporation - APT40M42JN Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT40M42JN

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS IV®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 690W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tray  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 760 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 86A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT40M42JN

Attributs du produit APT40M42JN APT40M75JN APT42F50B APT40N60JCU3
Modèle de produit APT40M42JN APT40M75JN APT42F50B APT40N60JCU3
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 4V @ 2.5mA 5V @ 1mA 3.9V @ 1mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 500 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 43A, 10V 75mOhm @ 28A, 10V 130mOhm @ 21A, 10V 70mOhm @ 20A, 10V
Séries POWER MOS IV® POWER MOS IV® POWER MOS 8™ -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tray Tray Tube Bulk
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B] SOT-227
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 86A (Tc) 56A (Tc) 42A (Tc) 40A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 6810 pF @ 25 V 7015 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 690W (Tc) 520W (Tc) 625W (Tc) 290W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 760 nC @ 10 V 370 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 259 nC @ 10 V

Fiche technique APT40M42JN PDF

Téléchargez APT40M42JN PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT40M42JN - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Legacy Prod EOL 1/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
APT40M42JN.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT40M42JN

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