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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT28F60B
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT28F60B - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT28F60B
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT28F60B
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT28F60B
Microsemi Corporation - APT28F60B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT28F60B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 [B]  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5575 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base APT28F60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT28F60B

Attributs du produit APT28F60B APT29F100B2 APT25SM120B APT29F80J
Modèle de produit APT28F60B APT29F100B2 APT25SM120B APT29F80J
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 2.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc) 1040W (Tc) 175W (Tc) 543W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 1200 V 800 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 72 nC @ 20 V 303 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 14A, 10V 440mOhm @ 16A, 10V 175mOhm @ 10A, 20V 210mOhm @ 24A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5575 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V - 9326 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Numéro de produit de base APT28F60 APT29F100 - APT29F80
Package composant fournisseur TO-247 [B] T-MAX™ [B2] TO-247 ISOTOP®
Vgs (Max) ±30V ±30V +25V, -10V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc) 31A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Séries - POWER MOS 8™ - POWER MOS 8™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 20V 10V

Fiche technique APT28F60B PDF

Téléchargez APT28F60B PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT28F60B - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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