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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT12080JVR
APT12080JVR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT12080JVR - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT12080JVR
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT12080JVR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT12080JVR.pdf
En stock: 3970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT12080JVR
Microsemi Corporation - APT12080JVR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT12080JVR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 485 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT12080JVR

Attributs du produit APT12080JVR APT12057JFLL APT12067JLL APT12057JLL
Modèle de produit APT12080JVR APT12057JFLL APT12067JLL APT12057JLL
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 19A (Tc) 17A (Tc) 19A (Tc)
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 7.5A, 10V 570mOhm @ 9.5A, 10V 570mOhm @ 10A, 10V 570mOhm @ 10A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V 5155 pF @ 25 V 6200 pF @ 25 V 6200 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 485 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc) - 460W (Tc) 520W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Fonction FET - - - -
Séries POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7®
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® SOT-227 SOT-227
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

Fiche technique APT12080JVR PDF

Téléchargez APT12080JVR PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT12080JVR - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
DPT0F081A1230 Series EOL 15/Sep/2016.pdf
Feuilles de données
APT12080JVR.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT12080JVR

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32D-APT12080JVR

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