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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT10M07JVR
APT10M07JVR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT10M07JVR - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT10M07JVR
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT10M07JVR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT10M07JVR.pdf
En stock: 5150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT10M07JVR
Microsemi Corporation - APT10M07JVR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT10M07JVR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS V®  
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1050 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 225A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT10M07JVR

Attributs du produit APT10M07JVR APT10M07JVFR APT10M11JVFR APT106N60LC6
Modèle de produit APT10M07JVR APT10M07JVFR APT10M11JVFR APT106N60LC6
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21600 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V 10380 pF @ 25 V 8390 pF @ 25 V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® TO-264 (L)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 4V @ 5mA 4V @ 2.5mA 3.5V @ 3.4mA
Séries POWER MOS V® POWER MOS V® POWER MOS V® CoolMOS™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1050 nC @ 10 V 1050 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 308 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V - - ±20V
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc) - - 833W (Tc)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 600 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 225A (Tc) 225A (Tc) 144A (Tc) 106A (Tc)

Fiche technique APT10M07JVR PDF

Téléchargez APT10M07JVR PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT10M07JVR - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Feuilles de données
APT10M07JVR.pdf
PCN Obsolescence / EOL
DPT0F081A1230 Series EOL 15/Sep/2016.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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APT10M07JVR

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