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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT10035B2LLG
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT10035B2LLG - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT10035B2LLG
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT10035B2LLG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT10035B2LLG
Microsemi Corporation - APT10035B2LLG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT10035B2LLG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2]  
Séries POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 690W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5185 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base APT10035  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT10035B2LLG

Attributs du produit APT10035B2LLG APT10035JLL APT10045JLL APT10035JFLL
Modèle de produit APT10035B2LLG APT10035JLL APT10045JLL APT10035JFLL
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Séries POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V 154 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5185 pF @ 25 V 5185 pF @ 25 V 4350 pF @ 25 V 5185 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 690W (Tc) 520W (Tc) 460W (Tc) 520W (Tc)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Numéro de produit de base APT10035 APT10035 APT10045 APT10035
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2] ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Type de montage Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 14A, 10V 350mOhm @ 14A, 10V 450mOhm @ 11.5A, 10V 370mOhm @ 14A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 25A (Tc) 21A (Tc) 25A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -

Fiche technique APT10035B2LLG PDF

Téléchargez APT10035B2LLG PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT10035B2LLG - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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