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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireMT53E768M32D4DT-053 AAT:E
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E - Micron Technology Inc.

Fabricant Modèle de produit
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
Fabricant
Micron Technology
Allelco Modèle de produit
32D-MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
Modèle ECAD
Description des pièces
IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
Description détaillée
Emballage
200-VFBGA
Fiche technique
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E.pdf
État RoHS
En stock: 1603

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
Micron Technology Inc. - MT53E768M32D4DT-053 AAT:E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Micron Technology Inc. - MT53E768M32D4DT-053 AAT:E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Micron Technology  
Écrire le temps de cycle - Word, Page -  
Tension - Alimentation 1.1V  
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Package composant fournisseur 200-VFBGA (10x14.5)  
Séries Automotive, AEC-Q100  
Package / Boîte 200-VFBGA  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TC)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 24Gbit  
Organisation de mémoire 768M x 32  
Interface mémoire -  
Format de mémoire DRAM  
Fréquence d'horloge 1.866 GHz  
Numéro de produit de base MT53E768  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT:E

Attributs du produit MT53E768M32D4DT-053 AAT:E MT53E512M64D4NW-046 WT:E MT53E768M32D4DT-053 WT:E MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Modèle de produit MT53E768M32D4DT-053 AAT:E MT53E512M64D4NW-046 WT:E MT53E768M32D4DT-053 WT:E MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Fabricant Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4
Numéro de produit de base MT53E768 MT53E512 MT53E768 MT53E512
Écrire le temps de cycle - Word, Page - - - -
Organisation de mémoire 768M x 32 512M x 64 768M x 32 512M x 64
Interface mémoire - - - -
Fréquence d'horloge 1.866 GHz 2.133 GHz 1.866 GHz 1.866 GHz
Emballer Tray Box Tray Box
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC)
Taille mémoire 24Gbit 32Gbit 24Gbit 32Gbit
Package / Boîte 200-VFBGA 432-VFBGA 200-VFBGA 432-VFBGA
Séries Automotive, AEC-Q100 - Automotive, AEC-Q100 -
Format de mémoire DRAM DRAM DRAM DRAM
Type de mémoire Volatile Volatile Volatile Volatile
Tension - Alimentation 1.1V 1.1V 1.1V 1.1V
Package composant fournisseur 200-VFBGA (10x14.5) 432-VFBGA (15x15) 200-VFBGA (10x14.5) 432-VFBGA (15x15)

Fiche technique MT53E768M32D4DT-053 AAT:E PDF

Téléchargez MT53E768M32D4DT-053 AAT:E PDF DataSheets et Documentation Micron Technology Inc. pour MT53E768M32D4DT-053 AAT:E - Micron Technology Inc..

Assemblage / origine PCN
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Memory 24-May-2022.pdf
Emballage PCN
Tray 05-May-2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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