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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireMT53E2G32D4NQ-046 WT:A
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MT53E2G32D4NQ-046 WT:A - Micron Technology Inc.

Fabricant Modèle de produit
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A
Fabricant
Micron Technology
Allelco Modèle de produit
32D-MT53E2G32D4NQ-046 WT:A
Modèle ECAD
Description des pièces
IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
Description détaillée
Emballage
200-VFBGA
Fiche technique
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A.pdf
État RoHS
En stock: 11280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MT53E2G32D4NQ-046 WT:A
Micron Technology Inc. - MT53E2G32D4NQ-046 WT:A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Micron Technology Inc. - MT53E2G32D4NQ-046 WT:A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Micron Technology  
Écrire le temps de cycle - Word, Page -  
Tension - Alimentation 1.1V  
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Package composant fournisseur 200-VFBGA (10x14.5)  
Séries -  
Package / Boîte 200-VFBGA  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TC)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 64Gbit  
Organisation de mémoire 2G x 32  
Interface mémoire -  
Format de mémoire DRAM  
Fréquence d'horloge 2.133 GHz  
Numéro de produit de base MT53E2G32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 WT:A

Attributs du produit MT53E2G32D4NQ-046 WT:A MT53E2G32D4DT-046 AAT:A MT53E2G32D8QD-046 WT:E MT53E384M64D4NK-046 WT:E
Modèle de produit MT53E2G32D4NQ-046 WT:A MT53E2G32D4DT-046 AAT:A MT53E2G32D8QD-046 WT:E MT53E384M64D4NK-046 WT:E
Fabricant Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Fréquence d'horloge 2.133 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz
Séries - Automotive, AEC-Q100 - -
Numéro de produit de base MT53E2G32 MT53E2G32 MT53E2G32 MT53E384
Écrire le temps de cycle - Word, Page - - - -
Tension - Alimentation 1.1V 1.1V 1.1V 1.1V
Taille mémoire 64Gbit 64Gbit 64Gbit 24Gbit
Organisation de mémoire 2G x 32 2G x 32 2G x 32 384M x 64
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 105°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage Surface Mount - - -
Interface mémoire - - - -
Package / Boîte 200-VFBGA - - -
Type de mémoire Volatile Volatile Volatile Volatile
Format de mémoire DRAM DRAM DRAM DRAM
Package composant fournisseur 200-VFBGA (10x14.5) - - -
Emballer Tray Tray Box Tray
La technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4

Fiche technique MT53E2G32D4NQ-046 WT:A PDF

Téléchargez MT53E2G32D4NQ-046 WT:A PDF DataSheets et Documentation Micron Technology Inc. pour MT53E2G32D4NQ-046 WT:A - Micron Technology Inc..

Assemblage / origine PCN
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Memory 24-May-2022.pdf
Emballage PCN
Tray 05-May-2022.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mutl Dev EOL 13/Dec/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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