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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireMT29E6T08ETHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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MT29E6T08ETHBBM5-3:B - Micron Technology Inc.

Fabricant Modèle de produit
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Fabricant
Micron Technology
Allelco Modèle de produit
32D-MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Modèle ECAD
Description des pièces
IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ
Emballage
-
Fiche technique
MT29E6T08ETHBBM5-3:B.pdf
Notre certification
En stock: 11160

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Micron Technology Inc. - MT29E6T08ETHBBM5-3:B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Micron Technology Inc. - MT29E6T08ETHBBM5-3:B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Micron Technology  
Écrire le temps de cycle - Word, Page -  
Tension - Alimentation 2.5V ~ 3.6V  
La technologie FLASH - NAND  
Package composant fournisseur -  
Séries -  
Package / Boîte -  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 6Tbit  
Organisation de mémoire 768G x 8  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire FLASH  
Fréquence d'horloge 333 MHz  
Numéro de produit de base MT29E6T08  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Micron Technology Inc. MT29E6T08ETHBBM5-3:B

Attributs du produit MT29E6T08ETHBBM5-3:B MT29E2T08CTCCBJ7-6:C MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MT29F128G08AJAAAWP-Z:A
Modèle de produit MT29E6T08ETHBBM5-3:B MT29E2T08CTCCBJ7-6:C MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MT29F128G08AJAAAWP-Z:A
Fabricant Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Interface mémoire Parallel Parallel Parallel Parallel
Emballer Tray Tray Tray Bulk
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Organisation de mémoire 768G x 8 256G x 8 16G x 8 16G x 8
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Séries - - - -
Numéro de produit de base MT29E6T08 MT29E2T08 MT29F128G08 MT29F128G08
Taille mémoire 6Tbit 2Tbit 128Gbit 128Gbit
Package composant fournisseur - 152-LBGA (14x18) 152-VBGA (14x18) 48-TSOP I
Type de montage - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Écrire le temps de cycle - Word, Page - - - -
Package / Boîte - 152-LBGA 152-VBGA 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width)
Tension - Alimentation 2.5V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire FLASH FLASH FLASH FLASH
Fréquence d'horloge 333 MHz 167 MHz 167 MHz -
La technologie FLASH - NAND FLASH - NAND FLASH - NAND FLASH - NAND

Fiche technique MT29E6T08ETHBBM5-3:B PDF

Téléchargez MT29E6T08ETHBBM5-3:B PDF DataSheets et Documentation Micron Technology Inc. pour MT29E6T08ETHBBM5-3:B - Micron Technology Inc..

PCN Obsolescence / EOL
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Emballage PCN
Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019.pdf Mult Devices 22/Feb/2018.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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