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VP3203N8-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VP3203N8-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VP3203N8-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 1.1A TO243AA
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
VP3203N8-G.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 32094

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques VP3203N8-G
Microchip Technology - VP3203N8-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VP3203N8-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tj)  
Numéro de produit de base VP3203  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VP3203N8-G

Attributs du produit VP3203N8-G NTD3808NT4G VP3203N3-G AO4492L
Modèle de produit VP3203N8-G NTD3808NT4G VP3203N3-G AO4492L
Fabricant Microchip Technology onsemi Microchip Technology Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 16 V 30 V 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 1660 pF @ 12 V 300 pF @ 25 V 920 pF @ 15 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.3W (Ta), 52W (Tc) 740mW (Ta) 3.1W (Tc)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tj) 12A (Ta), 76A (Tc) 650mA (Tj) 14A (Tc)
Package / Boîte TO-243AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V 5.8mOhm @ 15A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 9.5mOhm @ 13A, 10V
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) DPAK TO-92-3 8-SOIC
Séries - - - -
Numéro de produit de base VP3203 NTD38 VP3203 AO44
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 10mA 2.2V @ 250µA

Fiche technique VP3203N8-G PDF

Téléchargez VP3203N8-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VP3203N8-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf VP3203 20/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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