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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVP2450N8-G
VP2450N8-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VP2450N8-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VP2450N8-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VP2450N8-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Description détaillée
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
VP2450.pdf
État RoHS
En stock: 22002

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VP2450N8-G
Microchip Technology - VP2450N8-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VP2450N8-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160mA (Tj)  
Numéro de produit de base VP2450  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VP2450N8-G

Attributs du produit VP2450N8-G VP2450N3-G VP2511N3 VP22351-2
Modèle de produit VP2450N8-G VP2450N3-G VP2511N3 VP22351-2
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Electro-Films (EFI) / Vishay LUMILEDS
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30Ohm @ 100mA, 10V 30Ohm @ 100mA, 10V - -
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 740mW (Ta) - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) TO-92-3 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V 190 pF @ 25 V - -
Type de montage Surface Mount Through Hole - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bag - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA - -
Package / Boîte TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) - -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
type de FET P-Channel P-Channel - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160mA (Tj) 100mA (Tj) - -
Séries - - - -
Numéro de produit de base VP2450 VP2450 - -

Fiche technique VP2450N8-G PDF

Téléchargez VP2450N8-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VP2450N8-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf VP2450 09/Nov/2016.pdf
Feuilles de données
VP2450.pdf
Assemblage / origine PCN
Fabrication Site Addition 06/Aug/2015.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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