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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVP2110K1-G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VP2110K1-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VP2110K1-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VP2110K1-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
VP2110K1-G.pdf
État RoHS
En stock: 53050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VP2110K1-G
Microchip Technology - VP2110K1-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VP2110K1-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB (SOT23)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120mA (Tj)  
Numéro de produit de base VP2110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VP2110K1-G

Attributs du produit VP2110K1-G VP2206N2 VP2106N3-G VP21895-5
Modèle de produit VP2110K1-G VP2206N2 VP2106N3-G VP21895-5
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology LUMILEDS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 500mA, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 12Ohm @ 500mA, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V -
Package composant fournisseur TO-236AB (SOT23) TO-39 TO-92-3 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta) 360mW (Tc) 1W (Tc) -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole -
Numéro de produit de base VP2110 VP2206 VP2106 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120mA (Tj) 750mA (Tj) 250mA (Tj) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 10mA 3.5V @ 1mA -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) -
Emballer Tape & Reel (TR) Bag Bag -

Fiche technique VP2110K1-G PDF

Téléchargez VP2110K1-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VP2110K1-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdf
Conception / spécification PCN
VP2110 20/Dec/2021.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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