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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVN3205N3-G
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VN3205N3-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VN3205N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VN3205N3-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
VN3205N3-G.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 37257

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques VN3205N3-G
Microchip Technology - VN3205N3-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VN3205N3-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Tj)  
Numéro de produit de base VN3205  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VN3205N3-G

Attributs du produit VN3205N3-G VN3205N8-G VN30NSP VN3082
Modèle de produit VN3205N3-G VN3205N8-G VN30NSP VN3082
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology STMicroelectronics Texas Instruments
Emballer Bag Tape & Reel (TR) - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Tension drain-source (Vdss) 50 V 50 V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc) 1.6W (Ta) - -
Type de montage Through Hole Surface Mount - -
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA - -
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-243AA (SOT-89) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Tj) 1.5A (Tj) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10mA 2.4V @ 10mA - -
Numéro de produit de base VN3205 VN3205 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V - -

Fiche technique VN3205N3-G PDF

Téléchargez VN3205N3-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VN3205N3-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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