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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVN2450N8-G
VN2450N8-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VN2450N8-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VN2450N8-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VN2450N8-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Description détaillée
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
VN2450.pdf
État RoHS
En stock: 40693

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VN2450N8-G
Microchip Technology - VN2450N8-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VN2450N8-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 400mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Tj)  
Numéro de produit de base VN2450  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VN2450N8-G

Attributs du produit VN2450N8-G VN2410L-G VN2406L-G VN2450N3-G
Modèle de produit VN2450N8-G VN2410L-G VN2406L-G VN2450N3-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 125 pF @ 25 V 125 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V
Numéro de produit de base VN2450 VN2410 VN2406 VN2450
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 240 V 240 V 500 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 400mA, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 13Ohm @ 400mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Emballer Tape & Reel (TR) Bag Bag Bag
Package / Boîte TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Tj) 190mA (Tj) 190mA (Tj) 200mA (Tj)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 4V @ 1mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique VN2450N8-G PDF

Téléchargez VN2450N8-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VN2450N8-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
VN2450.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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VN2450N8-G

Microchip Technology
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