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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTP2540N8-G
TP2540N8-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TP2540N8-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
TP2540N8-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TP2540N8-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Description détaillée
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
TP2540N8-G.pdf
État RoHS
En stock: 25125

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TP2540N8-G
Microchip Technology - TP2540N8-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TP2540N8-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 125mA (Tj)  
Numéro de produit de base TP2540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TP2540N8-G

Attributs du produit TP2540N8-G TP2520N8-G TP2635N3-G TP2510N8-G
Modèle de produit TP2540N8-G TP2520N8-G TP2635N3-G TP2510N8-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 100mA, 10V 12Ohm @ 200mA, 10V 15Ohm @ 300mA, 10V 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 400 V 200 V 350 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Numéro de produit de base TP2540 TP2520 TP2635 TP2510
Package / Boîte TO-243AA TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 125mA (Tj) 260mA (Tj) 180mA (Tj) 480mA (Tj)
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89) TO-92-3 TO-243AA (SOT-89)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 25 V 125 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 125 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA 2V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1W (Ta) 1.6W (Ta)

Fiche technique TP2540N8-G PDF

Téléchargez TP2540N8-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TP2540N8-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
TP2540 22/Jun/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TP2540N8-G

Microchip Technology
32D-TP2540N8-G

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