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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTN5325K1-G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TN5325K1-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
TN5325K1-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TN5325K1-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TN5325 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 94610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TN5325K1-G
Microchip Technology - TN5325K1-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TN5325K1-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB (SOT23)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta)  
Numéro de produit de base TN5325  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TN5325K1-G

Attributs du produit TN5325K1-G TN5335K1-G TN5325N8-G TN5335N8-G
Modèle de produit TN5325K1-G TN5335K1-G TN5325N8-G TN5335N8-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 3V, 10V 4.5V, 10V 3V, 10V
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA TO-243AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V 15Ohm @ 200mA, 10V 7Ohm @ 1A, 10V 15Ohm @ 200mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 350 V 250 V 350 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base TN5325 TN5335 TN5325 TN5335
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 25 V 110 pF @ 25 V 110 pF @ 25 V 110 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-236AB (SOT23) SOT-23 (TO-236AB) TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta) 110mA (Tj) 316mA (Tj) 230mA (Tj)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique TN5325K1-G PDF

Téléchargez TN5325K1-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TN5325K1-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Feuilles de données
TN5325 Datasheet.pdf
Conception / spécification PCN
TN5325 07/Apr/2017.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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