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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT8030LVRG
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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APT8030LVRG - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT8030LVRG
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT8030LVRG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
APT8030LVRG.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 1257

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques APT8030LVRG
Microchip Technology - APT8030LVRG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT8030LVRG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 [L]  
Séries POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 500mA, 10V  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 510 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)  
Numéro de produit de base APT8030  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT8030LVRG

Attributs du produit APT8030LVRG APT8075BN APT8030JVFR APT8030LVFRG
Modèle de produit APT8030LVRG APT8075BN APT8030JVFR APT8030LVFRG
Fabricant Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Séries POWER MOS V® POWER MOS IV® POWER MOS V® POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 6.5A, 10V 300mOhm @ 500mA, 10V 300mOhm @ 500mA, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 510 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 510 nC @ 10 V 510 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V 2950 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 4V @ 1mA 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA
Package composant fournisseur TO-264 [L] TO-247AD ISOTOP® TO-264 [L]
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base APT8030 - APT8030 APT8030
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc) 13A (Tc) 25A (Tc) 27A (Tc)

Fiche technique APT8030LVRG PDF

Téléchargez APT8030LVRG PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT8030LVRG - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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