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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT75M50L
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT75M50L - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT75M50L
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT75M50L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 75A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
APT75M50L.pdf
État RoHS
En stock: 3593

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT75M50L
Microchip Technology - APT75M50L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT75M50L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264 [L]  
Séries POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1040W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base APT75M50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT75M50L

Attributs du produit APT75M50L APT75M50B2 APT77N60JC3 APT77N60JC
Modèle de produit APT75M50L APT75M50B2 APT77N60JC3 APT77N60JC
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 640 nC @ 10 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 3.9V @ 5.4mA -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V -
Package composant fournisseur TO-264 [L] T-MAX™ ISOTOP® -
Emballer Tube Tube Tube -
Séries POWER MOS 8™ - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount -
Dissipation de puissance (max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 568W (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 37A, 10V 75mOhm @ 37A, 10V 35mOhm @ 60A, 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 77A (Tc) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 25 V 11600 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V -
Numéro de produit de base APT75M50 APT75M50 APT77N60 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V -

Fiche technique APT75M50L PDF

Téléchargez APT75M50L PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT75M50L - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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