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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT50M50JLL
APT50M50JLL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT50M50JLL - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT50M50JLL
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT50M50JLL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 71A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 588

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT50M50JLL
Microchip Technology - APT50M50JLL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT50M50JLL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 35.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 595W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10550 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 71A (Tc)  
Numéro de produit de base APT50M50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT50M50JLL

Attributs du produit APT50M50JLL APT50M38JFLL APT50M65JFLL APT50M38JLL
Modèle de produit APT50M50JLL APT50M38JFLL APT50M65JFLL APT50M38JLL
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 595W (Tc) - 520W (Tc) 694W (Tc)
Numéro de produit de base APT50M50 APT50M38 APT50M65 APT50M38
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 141 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10550 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 7010 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 35.5A, 10V 38mOhm @ 44A, 10V 65mOhm @ 29A, 10V 38mOhm @ 44A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 71A (Tc) 88A (Tc) 58A (Tc) 88A (Tc)
Séries POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique APT50M50JLL PDF

Téléchargez APT50M50JLL PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT50M50JLL - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT50M50JLL

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