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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleAPT50GS60BRDQ2G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT50GS60BRDQ2G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT50GS60BRDQ2G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT50GS60BRDQ2G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 93A 415W TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 4630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT50GS60BRDQ2G
Microchip Technology - APT50GS60BRDQ2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT50GS60BRDQ2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A  
Condition de test 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16ns/225ns  
énergie de commutation 755µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247 [B]  
Séries Thunderbolt IGBT®  
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns  
Puissance - Max 415 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 235 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 195 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 93 A  
Numéro de produit de base APT50GS60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT50GS60BRDQ2G

Attributs du produit APT50GS60BRDQ2G APT50GR120B2 APT50GT60BRDQ2G APT50GN60BDQ2G
Modèle de produit APT50GS60BRDQ2G APT50GR120B2 APT50GT60BRDQ2G APT50GN60BDQ2G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur TO-247 [B] TO-247 TO-247 [B] TO-247 [B]
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A 3.2V @ 15V, 50A 2.5V @ 15V, 50A 1.85V @ 15V, 50A
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns - 22 ns -
Séries Thunderbolt IGBT® - Thunderbolt IGBT® -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 93 A 117 A 110 A 107 A
Puissance - Max 415 W 694 W 446 W 366 W
Numéro de produit de base APT50GS60 APT50GR120 APT50GT60 APT50GN60
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16ns/225ns 28ns/237ns 14ns/240ns 20ns/230ns
Condition de test 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V 400V, 50A, 5Ohm, 15V 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Emballer Tube Tube Tube Tube
énergie de commutation 755µJ (off) 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) 995µJ (on), 1070µJ (off) 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 1200 V 600 V 600 V
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 195 A 200 A 150 A 150 A
gate charge 235 nC 445 nC 240 nC 325 nC
type de IGBT NPT NPT NPT Trench Field Stop
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique APT50GS60BRDQ2G PDF

Téléchargez APT50GS60BRDQ2G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT50GS60BRDQ2G - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fabrication Site 27/Oct/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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