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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesAPT50GF120JRD
APT50GF120JRD Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT50GF120JRD - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT50GF120JRD
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT50GF120JRD
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT50GF120JRD.pdf
En stock: 609

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT50GF120JRD
Microchip Technology - APT50GF120JRD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT50GF120JRD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 50A  
Package composant fournisseur SOT-227 (ISOTOP®)  
Séries -  
Puissance - Max 460 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.45 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT -  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 750 µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base APT50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT50GF120JRD

Attributs du produit APT50GF120JRD APT50GF60JU2 APT50GF120JRDQ3 APT50GF60JU3
Modèle de produit APT50GF120JRD APT50GF60JU2 APT50GF120JRDQ3 APT50GF60JU3
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
type de IGBT - NPT NPT NPT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 750 µA 40 µA 750 µA 40 µA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 600 V 1200 V 600 V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 50A 2.7V @ 15V, 50A 3V @ 15V, 75A 2.7V @ 15V, 50A
Configuration Single Single Single Single
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Puissance - Max 460 W 277 W 521 W 277 W
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Numéro de produit de base APT50 - APT50GF120 -
Contribution Standard Standard Standard Standard
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75 A 75 A 120 A 75 A
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Package composant fournisseur SOT-227 (ISOTOP®) SOT-227 ISOTOP® SOT-227
NTC thermistance No No No No
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.45 nF @ 25 V 2.25 nF @ 25 V 5.32 nF @ 25 V 2.25 nF @ 25 V

Fiche technique APT50GF120JRD PDF

Téléchargez APT50GF120JRD PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT50GF120JRD - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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