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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT5010JVRU3
APT5010JVRU3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT5010JVRU3 - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT5010JVRU3
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT5010JVRU3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 847

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT5010JVRU3
Microchip Technology - APT5010JVRU3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT5010JVRU3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7410 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 312 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base APT5010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT5010JVRU3

Attributs du produit APT5010JVRU3 APT5010JVRU2 APT5010LVRG APT5010JLLU3
Modèle de produit APT5010JVRU3 APT5010JVRU2 APT5010LVRG APT5010JLLU3
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 44A (Tc) 47A (Tc) 41A (Tc)
Emballer Bulk Bulk Tube Bulk
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Package composant fournisseur SOT-227 SOT-227 TO-264 [L] SOT-227
Numéro de produit de base APT5010 APT5010 APT5010 APT5010
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 312 nC @ 10 V 312 nC @ 10 V 470 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 23A, 10V
Fonction FET - - - -
Séries - - POWER MOS V® POWER MOS 7®
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc) 450W (Tc) - 378W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7410 pF @ 25 V 7410 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V

Fiche technique APT5010JVRU3 PDF

Téléchargez APT5010JVRU3 PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT5010JVRU3 - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT5010JVRU3

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32D-APT5010JVRU3

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