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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT45M100J
APT45M100J Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT45M100J - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT45M100J
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT45M100J
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT45M100J
Microchip Technology - APT45M100J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT45M100J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 33A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base APT45M100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT45M100J

Attributs du produit APT45M100J APT47F60J APT43M60L APT47N60BC3G
Modèle de produit APT45M100J APT47F60J APT43M60L APT47N60BC3G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur SOT-227 ISOTOP® TO-264 [L] TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 49A (Tc) 45A (Tc) 47A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 3.9V @ 2.7mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18500 pF @ 25 V 13190 pF @ 25 V 8590 pF @ 25 V 7015 pF @ 25 V
Numéro de produit de base APT45M100 APT47F60 APT43M60 APT47N60
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 540W (Tc) 780W (Tc) 417W (Tc)
Séries - POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ -
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 600 V 600 V 600 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 33A, 10V 90mOhm @ 33A, 10V 150mOhm @ 21A, 10V 70mOhm @ 30A, 10V

Fiche technique APT45M100J PDF

Téléchargez APT45M100J PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT45M100J - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT45M100J

Microchip Technology
32D-APT45M100J

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