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APT40DR160HJ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT40DR160HJ - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT40DR160HJ
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT40DR160HJ
Modèle ECAD
Description des pièces
BRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
État RoHS
En stock: 2259

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT40DR160HJ
Microchip Technology - APT40DR160HJ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT40DR160HJ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Inverse de crête (max) 1.6 kV  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 40 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries -  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 20 µA @ 1600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 40 A  
Numéro de produit de base APT40DR160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT40DR160HJ

Attributs du produit APT40DR160HJ APT40DC120HJ APT4012BVR APT40GR120B2D30
Modèle de produit APT40DR160HJ APT40DC120HJ APT4012BVR APT40GR120B2D30
Fabricant Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
La technologie Standard Silicon Carbide Schottky MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Bulk Bulk Bulk Tube
Tension - Inverse de crête (max) 1.6 kV 1.2 kV - -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 40 A 1.8 V @ 40 A - -
Courant - fuite, inverse à Vr 20 µA @ 1600 V 800 µA @ 1200 V - -
Séries - - POWER MOS V® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 40 A 40 A - -
Type de diode Single Phase Single Phase - -
Numéro de produit de base APT40DR160 APT40DC120 - APT40GR120
Package composant fournisseur SOT-227 SOT-227 TO-247AD TO-247-3

Fiche technique APT40DR160HJ PDF

Téléchargez APT40DR160HJ PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT40DR160HJ - Microchip Technology.

PCN Autre
2.73KHz.pdf
Fiche technique HTML
Cylindrical Battery Holders.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT40DR160HJ

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32D-APT40DR160HJ

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