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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT30M40JVFR
APT30M40JVFR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT30M40JVFR - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT30M40JVFR
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT30M40JVFR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT30M40JVFR.pdf
État RoHS
En stock: 1055

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT30M40JVFR
Microchip Technology - APT30M40JVFR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT30M40JVFR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 425 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base APT30M40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT30M40JVFR

Attributs du produit APT30M40JVFR APT30M60J APT30M40JVR APT30M19JVR
Modèle de produit APT30M40JVFR APT30M60J APT30M40JVR APT30M19JVR
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Séries POWER MOS V® POWER MOS 8™ POWER MOS V® POWER MOS V®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 4V @ 5mA
Tension drain-source (Vdss) 300 V 600 V 300 V 300 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc) 355W (Tc) 450W (Tc) 700W (Tc)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base APT30M40 APT30M60 APT30M40 APT30M19
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 31A (Tc) 70A (Tc) 130A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 425 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V 975 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 500mA, 10V 150mOhm @ 21A, 10V 40mOhm @ 500mA, 10V 19mOhm @ 500mA, 10V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 25 V 5890 pF @ 25 V 10200 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique APT30M40JVFR PDF

Téléchargez APT30M40JVFR PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT30M40JVFR - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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