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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT20M11JVR
APT20M11JVR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT20M11JVR - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT20M11JVR
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT20M11JVR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 573

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT20M11JVR
Microchip Technology - APT20M11JVR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT20M11JVR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 175A (Tc)  
Numéro de produit de base APT20M11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT20M11JVR

Attributs du produit APT20M11JVR APT20M11JFLL APT20M20JFLL APT20M19JVR
Modèle de produit APT20M11JVR APT20M11JFLL APT20M20JFLL APT20M19JVR
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 88A, 10V 20mOhm @ 52A, 10V 19mOhm @ 500mA, 10V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc) - - 500W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Séries POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS V® POWER MOS V®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 495 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V - - ±30V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21600 pF @ 25 V 10320 pF @ 25 V 6850 pF @ 25 V 11640 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 1mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 175A (Tc) 176A (Tc) 104A (Tc) 112A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - 10V
Numéro de produit de base APT20M11 APT20M11 APT20M20 -
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique APT20M11JVR PDF

Téléchargez APT20M11JVR PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT20M11JVR - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT20M11JVR

Microchip Technology
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