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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT10090BLLG
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT10090BLLG - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT10090BLLG
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT10090BLLG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 2156

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT10090BLLG
Microchip Technology - APT10090BLLG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT10090BLLG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 [B]  
Séries POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 298W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1969 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base APT10090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT10090BLLG

Attributs du produit APT10090BLLG APT100F50J APT10045JLL APT100M50J
Modèle de produit APT10090BLLG APT100F50J APT10045JLL APT100M50J
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Numéro de produit de base APT10090 APT100 APT10045 APT100
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 6A, 10V 36mOhm @ 75A, 10V 450mOhm @ 11.5A, 10V 38mOhm @ 75A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1969 pF @ 25 V 24600 pF @ 25 V 4350 pF @ 25 V 24600 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 103A (Tc) 21A (Tc) 103A (Tc)
Package composant fournisseur TO-247 [B] ISOTOP® ISOTOP® SOT-227
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V 154 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Séries POWER MOS 7® POWER MOS 8™ POWER MOS 7® -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 298W (Tc) 960W (Tc) 460W (Tc) 960W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 500 V 1000 V 500 V

Fiche technique APT10090BLLG PDF

Téléchargez APT10090BLLG PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT10090BLLG - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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