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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - TECJ2N5114
2N5114 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N5114 - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
2N5114
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2N5114
Modèle ECAD
Description des pièces
JFET P-CH 30V TO18
Description détaillée
Emballage
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Fiche technique
2N5114.pdf
En stock: 1205

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N5114
Microchip Technology - 2N5114 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - 2N5114

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id 10 V @ 1 nA  
Tension - Ventilation (V (BR) ESG) 30 V  
Package composant fournisseur TO-18 (TO-206AA)  
Séries Military, MIL-PRF-19500  
Résistance - RDS (On) 75 Ohms  
Puissance - Max 500 mW  
Package / Boîte TO-206AA, TO-18-3 Metal Can  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V  
type de FET P-Channel  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) 90 mA @ 18 V  
Numéro de produit de base 2N5114  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology 2N5114

Attributs du produit 2N5114 2N5116-E3 2N5116 2N5116
Modèle de produit 2N5114 2N5116-E3 2N5116 2N5116
Fabricant Microchip Technology Vishay Siliconix Solid State Inc. Central Semiconductor Corp
Package / Boîte TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package composant fournisseur TO-18 (TO-206AA) TO-206AA (TO-18) TO-18 TO-18
Séries Military, MIL-PRF-19500 - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - 600 mV -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ) - - -65°C ~ 200°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V - 25pF @ 15V 25pF @ 15V
Résistance - RDS (On) 75 Ohms - 150 Ohms 150 Ohms
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) 90 mA @ 18 V - - 5 mA @ 15 V
Numéro de produit de base 2N5114 2N5116 - -
Emballer Bulk Tube Bulk Box
type de FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Puissance - Max 500 mW - 500 mW 500 mW
Tension - Ventilation (V (BR) ESG) 30 V - 30 V 30 V
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id 10 V @ 1 nA - - 1 V @ 1 nA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique 2N5114 PDF

Téléchargez 2N5114 PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour 2N5114 - Microchip Technology.

Assemblage / origine PCN
2.73KHz.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Microchip Technology
32D-2N5114

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