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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - Single2N4999
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N4999 - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
2N4999
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2N4999
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER BJT
Description détaillée
Emballage
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Fiche technique
2N4999.pdf
En stock: 134

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N4999
Microchip Technology - 2N4999 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - 2N4999

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur TO-59  
Séries -  
Puissance - Max 35 W  
Package / Boîte TO-210AA, TO-59-4, Stud  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Stud Mount  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce -  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology 2N4999

Attributs du produit 2N4999 2N4921G 2N4918G 2N4923G
Modèle de produit 2N4999 2N4921G 2N4918G 2N4923G
Fabricant Microchip Technology onsemi onsemi onsemi
Type de montage Stud Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 600mV @ 100mA, 1A 600mV @ 100mA, 1A 600mV @ 100mA, 1A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A 1 A 1 A 1 A
Package composant fournisseur TO-59 TO-126 TO-126 TO-126
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Fréquence - Transition - 3MHz 3MHz 3MHz
Puissance - Max 35 W 30 W 30 W 30 W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - 30 @ 500mA, 1V 30 @ 500mA, 1V 30 @ 500mA, 1V
Séries - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V 40 V 40 V 80 V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - 500µA 500µA 500µA
Transistor Type PNP NPN PNP NPN
Package / Boîte TO-210AA, TO-59-4, Stud TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement - -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique 2N4999 PDF

Téléchargez 2N4999 PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour 2N4999 - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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