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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD87353Q5D
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD87353Q5D - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD87353Q5D
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD87353Q5D
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerLDFN
Fiche technique
CSD87353Q5D.pdf
État RoHS
En stock: 33870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD87353Q5D
Texas Instruments - CSD87353Q5D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD87353Q5D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 12W  
Package / Boîte 8-PowerLDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3190pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base CSD87353Q5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD87353Q5D

Attributs du produit CSD87353Q5D CSD87384M CSD87381P CSD87350Q5D
Modèle de produit CSD87353Q5D CSD87384M CSD87381P CSD87350Q5D
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6) 5-PTAB (5x3.5) 5-PTAB (3x2.5) 8-LSON (5x6)
Package / Boîte 8-PowerLDFN 5-LGA 5-LGA 8-PowerLDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A 30A 15A 40A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 12W 8W 4W 12W
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 7.7mOhm @ 25A, 8V 16.3mOhm @ 8A, 8V 5.9mOhm @ 20A, 8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base CSD87353Q5 CSD87384 CSD87381 CSD87350Q5
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V 9.2nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3190pF @ 15V 1150pF @ 15V 564pF @ 15V 1770pF @ 15V

Fiche technique CSD87353Q5D PDF

Téléchargez CSD87353Q5D PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD87353Q5D - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Wire Bond 27/May/2014.pdf
Emballage PCN
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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