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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD23381F4
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD23381F4 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD23381F4
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD23381F4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Description détaillée
Emballage
3-XFDFN
Fiche technique
CSD23381F4.pdf
État RoHS
En stock: 460500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD23381F4
Texas Instruments - CSD23381F4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD23381F4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 3-PICOSTAR  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 500mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 3-XFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 236 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.14 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD23381  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD23381F4

Attributs du produit CSD23381F4 CSD23202W10 CSD23285F5 CSD23382F4
Modèle de produit CSD23381F4 CSD23202W10 CSD23285F5 CSD23382F4
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 236 pF @ 6 V 512 pF @ 6 V 628 pF @ 6 V 235 pF @ 6 V
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 12 V 12 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A (Ta) 2.2A (Ta) 5.4A (Ta) 3.5A (Ta)
Vgs (Max) -8V -6V -6V ±8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 3-XFDFN 4-UFBGA, DSBGA 3-XFDFN 3-XFDFN
Numéro de produit de base CSD23381 CSD23202 CSD23285 CSD23382
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 500mA, 4.5V 53mOhm @ 500mA, 4.5V 35mOhm @ 1A, 4.5V 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.14 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V 1.35 nC @ 6 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1.1V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 3-PICOSTAR 4-DSBGA (1x1) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Séries NexFET™ NexFET™ FemtoFET™ FemtoFET™

Fiche technique CSD23381F4 PDF

Téléchargez CSD23381F4 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD23381F4 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
Emballage PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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