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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD19534KCS
CSD19534KCS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD19534KCS - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD19534KCS
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD19534KCS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
CSD19534KCS.pdf
État RoHS
En stock: 79310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD19534KCS
Texas Instruments - CSD19534KCS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD19534KCS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 118W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD19534  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD19534KCS

Attributs du produit CSD19534KCS CSD19534Q5AT CSD19536KCS CSD19535KTTT
Modèle de produit CSD19534KCS CSD19534Q5AT CSD19536KCS CSD19535KTTT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Dissipation de puissance (max) 118W (Tc) 3.2W (Ta), 63W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 50 V 1680 pF @ 50 V 12000 pF @ 50 V 7930 pF @ 50 V
Séries - NexFET™ NexFET™ NexFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA 3.4V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220-3 8-VSONP (5x6) TO-220-3 DDPAK/TO-263-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 44A (Tc) 150A (Ta) 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V 15.1mOhm @ 10A, 10V 2.7mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base CSD19534 CSD19534 CSD19536 CSD19535
Fonction FET - - - -

Fiche technique CSD19534KCS PDF

Téléchargez CSD19534KCS PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD19534KCS - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Site Chg 25/Jan/2016.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD19534KCS

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32D-CSD19534KCS

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