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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18502KCS
CSD18502KCS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD18502KCS - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18502KCS
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18502KCS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
CSD18502KCS.pdf
État RoHS
En stock: 37720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD18502KCS
Texas Instruments - CSD18502KCS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18502KCS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 259W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4680 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD18502  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18502KCS

Attributs du produit CSD18502KCS CSD17581Q5AT CSD17581Q5A CSD18502Q5B
Modèle de produit CSD18502KCS CSD17581Q5AT CSD17581Q5A CSD18502Q5B
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.7V @ 250µA 1.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4680 pF @ 20 V 3640 pF @ 15 V 3640 pF @ 15 V 5070 pF @ 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 24A (Ta), 123A (Tc) 24A (Ta), 123A (Tc) 26A (Ta), 100A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 30 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 16A, 10V 3.4mOhm @ 16A, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numéro de produit de base CSD18502 CSD17581 CSD17581 CSD18502
Package composant fournisseur TO-220-3 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 259W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

Fiche technique CSD18502KCS PDF

Téléchargez CSD18502KCS PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD18502KCS - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Site Chg 25/Jan/2016.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD18502KCS

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32D-CSD18502KCS

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